ATIVIDADE 3 - EELE - ELETRÔNICA DE POTÊNCIA - 53_2025

1ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as alternativas a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores:

I - A quantidade da potência dissipada em um diodo semicondutor durante a condução (estado ligado) depende da tensão sobre os seus terminais e da corrente que o atravessa.
II - A perda de potência em um diodo Schottky tende a ser inferior em relação aos diodos retificadores genéricos, pois apresentam tempos menores de recuperação e, consequentemente, menores perdas durante o chaveamento.
III - Quanto menor o tempo de transição entre o estado ligado e desligado em um semicondutor de potência, maior será a potência dissipada na chave e, consequentemente, maior será a potência entregue à carga.
IV - A frequência de chaveamento de um circuito eletrônico de potência não possui interferência direta no cálculo de perdas em dispositivos de potência, pois esta análise está ligada exclusivamente aos valores de tensão e corrente na chave.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
II e IV, apenas.
III e IV, apenas.
I, II e III, apenas.
I, III e IV, apenas.

2ª QUESTÃO
Referente às estratégias de acionamento dos inversores trifásicos, avalie as afirmações a seguir:

I - A Modulação 120° não define diretamente o potencial de todas as fases, uma vez que atua apenas com 2 chaves de cada vez.
II - Em uma aplicação com tensão de barramento de 311 V, a tensão eficaz de linha é aproximadamente 220 V na modulação 120°.
III - Considerando uma aplicação com tensão Vcc igual a 311 V, a potência entregue à carga trifásica com impedância puramente resistiva igual a 12 Ω em modulação 180° é aproximadamente 1340 W, superior em relação à modulação 120°.
IV - Na modulação SPWM trifásica, o valor da tensão de linha RMS na carga depende mais da frequência de chaveamento do que do índice de modulação, uma vez que quanto maior a frequência, mais próxima de uma senoide estará sintetizada a onda de saída.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
II e III, apenas.
II e IV, apenas.
III e IV, apenas.
I, II e III, apenas.

3ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores:

I - Um diodo de corpo pode ser utilizado para proteger o MOSFET quando este é aplicado em circuitos eletrônicos com características indutivas.
II - A quantidade de potência durante o estado ligado (condução) não depende da frequência de chaveamento do circuito, sendo essa apenas relevante no cálculo da potência durante o chaveamento.
III - Se desconsiderarmos apenas a resistência de corpo (intrínseca) de um SCR podemos afirmar que a potência dissipada durante o estado ligado (P) será nula. Desta forma podemos considerar a eficiência de 100% na conversão de potência.
IV - O dispositivo IGBT, assim como o MOSFET, possuem características similares e, quando operando na região ativa, possuem ganhos entre a corrente de dreno/coletor e a corrente de gate. Porém, em eletrônica de potência, utilizamos estes dois componentes essencialmente nas regiões de saturação e corte, apenas.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e IV, apenas.
II e III, apenas.
I, II e IV, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.

4ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir sobre diferentes dispositivos semicondutores de potência:

I - O diodo de potência é um dispositivo semicondutor utilizado para bloquear a corrente em um sentido e permitir a passagem de corrente em um sentido oposto.
II - O GTO (Gate Turn-Off Thyristor) é um dispositivo semicondutor bipolar que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos, sendo utilizado principalmente em aplicações de alta frequência.
III - O MOSFET é um dispositivo semicondutor de potência unidirecional que possui a capacidade de controlar a quantidade de corrente que o percorre a partir de uma corrente proporcional injetada no terminal de gate.
IV - O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta capacidade de bloqueio de tensão do MOSFET com a baixa resistência de condução do transistor bipolar.
V - O SCR (Silicon-Controlled Rectifier) pode ser compreendido como uma chave controlada, pois mesmo possuindo características similares ao do diodo retificador, é possível comandar o instante em que o dispositivo começa a conduzir corrente, assim como o bloqueio desta corrente, enviando um sinal nulo de corrente no terminal de gate.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e V, apenas.
I, II e V, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
III, IV e V, apenas.

5ª QUESTÃO
Sobre o controle de conversores CC-CC, avalie as afirmativas a seguir:

I - No controle com atuação proporcional (Kp) de um processo com uma função de transferência sem atuação integral (Ki), o erro em regime estacionário é nulo.
II - Um conversor CC-CC somente pode ter uma saída controlada se estiver operando em malha fechada, ou seja, utilizando um sensor (transdutor) para realimentar uma variável e compará-la com um valor de referência.
III - O projeto analítico de controladores PID para conversores CC-CC independe do modelo matemático do conversor.
IV - A principal função de um circuito de controle aplicado a conversores CC-CC é a redução de perdas e, consequentemente, o aumento efetivo da eficiência da conversão.
V - Funções de transferência são modelos matemáticos utilizados para relacionar a entrada e a saída em sistemas que podem ser descritos por equações diferenciais lineares e são amplamente utilizadas em projetos de sistemas de controle.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
II e V, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, IV e V, apenas.
II, III e V, apenas.
I, II e III, apenas.

6ª QUESTÃO
Baseado no contexto sobre conversores CC-CC isolados, analise as afirmações a seguir:

I - A principal desvantagem dos conversores CC-CC isolados é a saturação do transformador, que acontece independentemente do projeto do circuito.
II - Nos conversores CC-CC que possuem indutância conectada em paralelo à fonte, podemos dizer que este conversor possui entrada em fonte de corrente.
III - O transformador utilizado em conversores CC-CC é diferente dos transformadores utilizados em fontes lineares, pois opera em frequências superiores às da rede elétrica.
IV - O conversor Flyback nada mais é que o conversor Buck-Boost substituindo o indutor por um transformador, sendo possível inverter a polaridade no secundário.
V - Um conversor isolado possui um indutor acoplado para isolar galvanicamente o circuito ligado à fonte da carga.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
II e III, apenas.
IV e V, apenas.
I, II e III, apenas.
I, II e IV, apenas.
II, III e V, apenas.

7ª QUESTÃO
Sobre circuitos inversores com modulação PWM, avalie as afirmações a seguir:

I - O conversor apresenta fluxo de potência sempre unidirecional.
II - Se a carga que o conversor alimenta é puramente indutiva, os diodos em paralelo com as chaves podem ser retirados.
III - Na modulação PWM bipolar, o sinal resultante de saída possui apenas 2 níveis, enquanto na modulação PWM unipolar, 3 níveis são percebidos.
IV - Em um conversor monofásico em ponte, caso a modulação seja PWM unipolar, são necessárias duas tensões de referência.
V - Em um conversor monofásico em ponte com modulação bipolar, a cada comutação das chaves, a tensão de fase na saída alterna entre Vcc e 0.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
V, apenas.
II e IV, apenas.
II e V, apenas.
IV e V, apenas.
I, II e III, apenas.

8ª QUESTÃO
Com base no texto sobre inversores de frequência e motores de indução, analise as afirmações a seguir:

I - O diodo Schottky é o semicondutor mais utilizado em circuitos de potência CC-CA devido à sua capacidade de operar em altas frequências.
II - Dentre os métodos de controle de tensão de saída de um conversor CC-CA, a modulação PWM é a mais utilizada.
III - A forma de onda de tensão na carga de um inversor monofásico com modulação PWM somente passa a ter aspecto senoidal após aplicação de filtros LC ou LCL.
IV - Os IGBTs unem características de FETs e BJTs, porém não atingem frequências tão altas como MOSFETs.
V - Na operação de um inversor monofásico, as chaves estáticas operam em saturação e corte, não na região linear.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e III, apenas.
III e IV, apenas.
I, III e V, apenas.
II, IV e V, apenas.
II, III, IV e V, apenas.

9ª QUESTÃO
Considerando o circuito analisado na aula de conversores CC-CC, desprezando perdas, assinale a alternativa correta:

ALTERNATIVAS
Io = 4 A.
Io = 1,71 A.
Vo = 80 V.
Vo = 5,6 V.
Vo = 16,8 V.

10ª QUESTÃO
Considere um retificador monofásico à diodo com tap central e carga RL. Analise as afirmativas a seguir:

I - O valor da tensão média na carga pode ser calculado por V = 0,636·V.
II - Devido ao indutor, o valor médio da corrente na carga dependerá da frequência e da indutância.
III - Considerando tensão de 110 V eficazes no secundário, o módulo da tensão de pico inversa (PIV) do diodo será de aproximadamente 311 V.
IV - As formas de onda apresentadas atendem ao retificador descrito.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e III, apenas.
II e III, apenas.
II e IV, apenas.
I, II e IV, apenas.
I, III e IV, apenas.