1ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as alternativas a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores:
I - A quantidade da potência dissipada em um diodo semicondutor durante a condução (estado ligado) depende da tensão sobre os seus terminais e da corrente que o atravessa.
II - A perda de potência em um diodo Schottky tende a ser inferior em relação aos diodos retificadores genéricos, pois apresentam tempos menores de recuperação e, consequentemente, menores perdas durante o chaveamento.
III - Quanto menor o tempo de transição entre o estado ligado e desligado em um semicondutor de potência, maior será a potência dissipada na chave e, consequentemente, maior será a potência entregue à carga.
IV - A frequência de chaveamento de um circuito eletrônico de potência não possui interferência direta no cálculo de perdas em dispositivos de potência, pois esta análise está ligada exclusivamente aos valores de tensão e corrente na chave.
É correto o que se afirma em:
ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
II e IV, apenas.
III e IV, apenas.
I, II e III, apenas.
I, III e IV, apenas.